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TPC8212-H(TE12LQ,M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: TPC8212-H(TE12LQ,M
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 450mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 3A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SOP (5.5x6.0)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 6A

Em estoque 87 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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