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TPC8A05-H(TE12L,QM

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TPC8A05-H(TE12L,QM
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSV-H
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	Schottky Diode (Body)
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.3mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SOP (5.5x6.0)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V