TPCF8102(TE85L,F,M
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | TPCF8102(TE85L,F,M |
Descrição: | MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | U-MOSIII |
Fet tipo | P-Channel |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SMD, Flat Lead |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 3A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 700mW (Ta) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | VS-8 (2.9x1.5) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 10V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Em estoque 97 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1