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TPH1R712MD,L1Q

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TPH1R712MD,L1Q
Descrição:	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSVI
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	78W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SOP Advance (5x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	182nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10900pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V