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TPH2R306NH,L1Q

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TPH2R306NH,L1Q
Descrição:	MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSVIII-H
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1.6W (Ta), 78W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SOP Advance (5x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6100pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V