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TPN1110ENH,L1Q

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TPN1110ENH,L1Q
Descrição:	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSVIII-H
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	114mOhm @ 3.6A, 10V
Dissipação de energia (Max)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	7.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V