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TPN2R503NC,L1Q

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TPN2R503NC,L1Q
Descrição: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série U-MOSVIII
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 500µA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max) 700mW (Ta), 35W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 40A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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