TPN2R805PL,L1Q
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | TPN2R805PL,L1Q |
Descrição: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | U-MOSIX-H |
Fet tipo | N-Channel |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-PowerVDFN |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 300µA |
Temperatura operacional | 175°C |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 40A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 2.67W (Ta), 104W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 45V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3.2nF @ 22.5V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 139A (Ta), 80A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Em estoque 96 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.30 | $0.29 | $0.29 |
Mínimo: 1