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TPN2R805PL,L1Q

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TPN2R805PL,L1Q
Descrição: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série U-MOSIX-H
Fet tipo N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 300µA
Temperatura operacional 175°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 45V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3.2nF @ 22.5V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 139A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 96 pcs

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