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TPN4R712MD,L1Q

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TPN4R712MD,L1Q
Descrição:	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSVI
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	42W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4300pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V