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TPW1R306PL,L1Q

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TPW1R306PL,L1Q
Descrição:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSIX-H
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Temperatura operacional	175°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.29mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-DSOP Advance
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8100pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	260A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V