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ULN2803APG,CN
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Folha de dados: | ULN2803APG,CN |
| Descrição: | TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria de produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Série | - |
| Embalagem | Tube |
| Parte Status | Obsolete |
| Potência - Máximo | 1.47W |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Tipo de transistor | 8 NPN Darlington |
| Número da parte base | ULN280*A |
| Temperatura operacional | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Frequência - Transição | - |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 18-DIP |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 500mA |
| Atual - Corte de colecionador (Max) | - |
| DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Em estoque 76 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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