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TP65H070LDG

Fabricantes:	Transphorm
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TP65H070LDG
Descrição:	650 V 25 A GAN FET
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Transphorm
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TP65H070L
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	3-PowerDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max)	96W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	3-PQFN (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 400V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V