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TPD3215M
| Fabricantes: | Transphorm |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Folha de dados: | TPD3215M |
| Descrição: | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Transphorm |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | - |
| Fet tipo | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Embalagem | Bulk |
| Fet recurso | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Parte Status | Obsolete |
| Potência - Máximo | 470W |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | Module |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Temperatura operacional | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 600V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
Em estoque 67 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $178.83 | $175.25 | $171.75 |
Mínimo: 1
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