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TPH3202LD

Fabricantes:	Transphorm
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	TPH3202LD
Descrição:	GANFET N-CH 600V 9A PQFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Transphorm
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±18V
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	4-PowerDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 5.5A, 8V
Dissipação de energia (Max)	65W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	4-PQFN (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 480V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V