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TPH3205WSB

Fabricantes: Transphorm
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TPH3205WSB
Descrição: GANFET N-CH 650V 36A TO247
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Transphorm
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±18V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Fet recurso -
Parte Status Last Time Buy
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 700µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 22A, 8V
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 8V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 400V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 165 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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