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TPH3206LDB

Fabricantes: Transphorm
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: TPH3206LDB
Descrição: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Transphorm
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±18V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 4-PowerDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 8V
Dissipação de energia (Max) 81W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PQFN (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 480V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 80 pcs

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