TPH3206LSB
Fabricantes: | Transphorm |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | TPH3206LSB |
Descrição: | GANFET N-CH 650V 16A PQFN |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Transphorm |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tube |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±18V |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Not For New Designs |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 3-PowerDFN |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 8V |
Dissipação de energia (Max) | 81W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PQFN (8x8) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 650V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 129 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$10.80 | $10.58 | $10.37 |
Mínimo: 1