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VS-GB100TP120N

Fabricantes: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Modules
Folha de dados: VS-GB100TP120N
Descrição: IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Série -
Tipo IGBT -
Parte Status Last Time Buy
Potência - Máximo 650W
Configuração Half Bridge
Tipo de montagem Chassis Mount
NTC Thermistor No
Pacote / Caso INT-A-Pak
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores INT-A-PAK
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 200A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
Atual - Corte de colecionador (Max) 5mA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

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