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IRC630PBF

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IRC630PBF
Descrição: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série HEXFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso Current Sensing
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-5
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 10V
Dissipação de energia (Max) 74W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220-5
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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