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IRFD224

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IRFD224
Descrição: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 1W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 250V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 630mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 70 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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