IRLD120
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IRLD120 |
Descrição: | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tube |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±10V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 780mA, 5V |
Dissipação de energia (Max) | 1.3W (Ta) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 100V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Em estoque 68 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1