A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

IRLD120PBF

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRLD120PBF
Descrição:	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 780mA, 5V
Dissipação de energia (Max)	1.3W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V