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SI1029X-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SI1029X-T1-GE3
Descrição: MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo N and P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 250mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Número da parte base SI1029
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores SC-89-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 305mA, 190mA

Em estoque 69742 pcs

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