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SI2309DS-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SI2309DS-T1-E3
Descrição: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 1.25A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.25W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 54 pcs

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