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SI2311DS-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Folha de dados: | SI2311DS-T1-GE3 |
| Descrição: | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | TrenchFET® |
| Fet tipo | P-Channel |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Obsolete |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max) | 710mW (Ta) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-23-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 8V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 4V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Em estoque 90 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Mínimo: 1
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