Image is for reference only , details as Specifications

SI2369DS-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SI2369DS-T1-GE3
Descrição:	MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 5.4A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-236
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1295pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	7.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V