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SI3433BDV-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SI3433BDV-T1-GE3
Descrição: MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo P-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 1.1W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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