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SI3460DV-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Folha de dados: | SI3460DV-T1-GE3 |
| Descrição: | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | TrenchFET® |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Obsolete |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max) | 1.1W (Ta) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 6-TSOP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 5.1A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Em estoque 99 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Mínimo: 1
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