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SI3475DV-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SI3475DV-T1-GE3
Descrição: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.61Ohm @ 900mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 950mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Em estoque 68 pcs

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