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SI3529DV-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SI3529DV-T1-GE3
Descrição: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo N and P-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 1.4W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.2A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 205pF @ 20V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2.5A, 1.95A

Em estoque 99 pcs

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