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SI3552DV-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SI3552DV-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N and P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Active
Potência - Máximo	1.15W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número da parte base	SI3552
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 2.5A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.5A