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SI3590DV-T1-E3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SI3590DV-T1-E3
Descrição:	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N and P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Active
Potência - Máximo	830mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número da parte base	SI3590
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77mOhm @ 3A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores	6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.5A, 1.7A