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SI3911DV-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SI3911DV-T1-E3
Descrição: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo 2 P-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 830mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número da parte base SI3911
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1.8A

Em estoque 85 pcs

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