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SI4427BDY-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SI4427BDY-T1-GE3
Descrição: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.5W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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