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SI4562DY-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SI4562DY-T1-E3
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo N and P-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 2W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número da parte base SI4562
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C -

Em estoque 54 pcs

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