A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

SI4590DY-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SI4590DY-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N and P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Potência - Máximo	2.4W, 3.4W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	57mOhm @ 2A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	3.4A, 2.8A