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SI4666DY-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SI4666DY-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	25V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1145pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	16.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V