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SI4866BDY-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SI4866BDY-T1-GE3
Descrição: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 12A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 12V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5020pF @ 6V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 21.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Em estoque 99 pcs

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