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SI4966DY-T1-E3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Folha de dados: | SI4966DY-T1-E3 |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | TrenchFET® |
| Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) |
| Embalagem | Digi-Reel® |
| Fet recurso | Logic Level Gate |
| Parte Status | Obsolete |
| Potência - Máximo | 2W |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Número da parte base | SI4966 |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | - |
Em estoque 60 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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