A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

SI5458DU-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SI5458DU-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 7.1A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3.5W (Ta), 10.4W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V