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SI5475DC-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SI5475DC-T1-GE3
Descrição: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo P-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SMD, Flat Lead
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 1mA (Min)
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 1.3W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores 1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 12V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 5.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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