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SI5499DC-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SI5499DC-T1-E3
Descrição: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SMD, Flat Lead
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 8V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 8V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 4V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Em estoque 67 pcs

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