Image is for reference only , details as Specifications

SI5499DC-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SI5499DC-T1-GE3
Descrição:	MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±5V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SMD, Flat Lead
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 8V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	8V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1290pF @ 4V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V