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SI5511DC-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SI5511DC-T1-E3
Descrição: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo N and P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 3.1W, 2.6W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SMD, Flat Lead
Número da parte base SI5511
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores 1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4A, 3.6A

Em estoque 65 pcs

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