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SI5519DU-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SI5519DU-T1-GE3
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo N and P-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Fet recurso Standard
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 10.4W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® ChipFET™ Dual
Número da parte base SI5519
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.1A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® ChipFet Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 6A

Em estoque 82 pcs

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