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SI5908DC-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	SI5908DC-T1-GE3
Descrição:	MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	TrenchFET®
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Active
Potência - Máximo	1.1W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SMD, Flat Lead
Número da parte base	SI5908
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores	1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	4.4A