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SI5908DC-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SI5908DC-T1-GE3
Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Active
Potência - Máximo 1.1W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SMD, Flat Lead
Número da parte base SI5908
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores 1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4.4A

Em estoque 2975 pcs

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