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SI5913DC-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: SI5913DC-T1-GE3
Descrição: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série LITTLE FOOT®
Fet tipo P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso Schottky Diode (Isolated)
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SMD, Flat Lead
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 3.7A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V

Em estoque 99 pcs

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