SI5915DC-T1-E3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Folha de dados: | SI5915DC-T1-E3 |
Descrição: | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | TrenchFET® |
Fet tipo | 2 P-Channel (Dual) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Fet recurso | Logic Level Gate |
Parte Status | Obsolete |
Potência - Máximo | 1.1W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SMD, Flat Lead |
Número da parte base | SI5915 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.4A, 4.5V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 1206-8 ChipFET™ |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 8V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 3.4A |
Em estoque 92 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1