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SI5980DU-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: SI5980DU-T1-GE3
Descrição: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Standard
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 7.8W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® ChipFET™ Dual
Número da parte base SI5980
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 567mOhm @ 400mA, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® ChipFet Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 78pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2.5A

Em estoque 95 pcs

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