Image is for reference only , details as Specifications

SI7100DN-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	SI7100DN-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® 1212-8
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Temperatura operacional	-50°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 8V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	8V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3810pF @ 4V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V